|
Accesează
contul existent
27.05.2026, 11:27
By
Aplicatia Orange Sport este gratuita si poate fi descarcata din Google Play si App Store
SK hynix a dezvaluit noua sa tehnologie de memorie cu latime de banda mare, iHBM, care incorporeaza un element de racire proprietar in interiorul pachetului HBM pentru a reduce substantial generarea de caldura in mediile de calcul cu inteligenta artificiala (AI).
Compania a declarat ca gestionarea caldurii a devenit un obstacol critic, pe masura ce HBM stocheaza mai multe straturi si functioneaza la viteze mai mari pentru a tine pasul cu cererea in crestere a sarcinilor de lucru AI.
Concentrarea caldurii este cea mai acuta la nivelul stratului fizic die-to-die (D2D PHY), interfata de date de mare viteza dintre matrita de baza HBM si matritele procesorului AI. Controlul densitatii in acea zona a devenit un factor-cheie de diferentiere in dezvoltarea HBM de noua generatie.
iHBM abordeaza problema prin plasarea elementelor de racire integrate (ICE) direct in zona D2D PHY, relateaza Tom's Hardware.
Incorporarea elementului de racire din siliciu neconductiv, direct in interfata de conectare de mare viteza dintre matrita de baza HBM si procesorul AI, care este predispusa la varfuri de temperatura ridicate ca urmare a traficului extrem de intens de date, atenueaza limitarea termica severa care afecteaza performanta sistemului AI in timpul sarcinilor de calcul intense.
O diagrama conceptuala a "Solutiei iHBM" prezentata de SK hynix (Sursa imaginii: SK hynix)ICE utilizeaza material de siliciu neconductiv electric, dar conductiv termic, pentru a forma o cale termica dedicata in interiorul pachetului si inlocuieste rutarea indirecta a caldurii prin matritele de baza utilizate in HBM conventional.
Compania considera ca prevenirea structurala a limitarii termice va permite straturilor de memorie de noua generatie sa se extinda la inaltimi de stivuire mai mari si sa mentina viteze maxime de transfer de date sub sarcinile de calcul intense ale centrelor de date AI.
Gestionarea caldurii este una dintre cele mai mari provocari cu care se confrunta tehnologia HBM (High-Bandwidth Memory). Spre deosebire de memoria conventionala, HBM atinge o latime de banda masiva prin stivuirea verticala a mai multor matrite DRAM, scurtand dramatic distanta pe care datele trebuie sa o parcurga si permitand viteze de transfer mult mai mari, cu o eficienta energetica mai buna.
Pentru a minimiza latenta si a alimenta procesoarele AI suficient de repede pentru a evita blocajele, memoria HBM este plasata extrem de aproape de GPU sau de acceleratorul AI pe acelasi pachet, conectata printr-un interposer de siliciu de mare viteza. Cu toate acestea, aceasta dispunere densa creeaza, de asemenea, probleme termice grave.
SK hynix a declarat ca aceasta abordare reduce rezistenta termica cu peste 30% in comparatie cu proiectele existente si mentine o functionare stabila in conditii de temperatura ridicata si sarcina mare.
Compania a declarat ca iHBM este proiectat si pentru a fi usor de fabricat. Acesta se bazeaza pe procesul de ambalare la nivel de wafer al companiei, bazat pe tehnologia Advanced Mass Reflow Molded Underfill, care a fost deja validat in productia de masa. Compatibilitatea ridicata a proiectului cu mediile existente de tip "system-in-package" inseamna ca clientii pot adopta tehnologia fara a fi nevoie de o reproiectare majora.
SK hynix intentioneaza sa aplice iHBM incepand cu HBM5 si continuand cu produsele ulterioare destinate aplicatiilor de calcul de inalta performanta si centrelor de date AI.
Articolul SK hynix a prezentat arhitectura termica "iHBM" care raceste memoria AI direct la sursa apare prima data in Go4IT.
Legal disclaimer:
Acesta este un articol informativ. Produsele descrise pot sa nu faca parte din oferta comerciala curenta Orange. Continutul acestui articol nu reprezinta pozitia Orange cu privire la produsul descris, ci a autorilor, conform sursei indicate.