Telefoane

Din seria "nicio zi fara un zvon despre Samsung Galaxy S26", astazi aflam, prin intermediul leaker-ului Ice Universe, ca producatorul sud-coreean are de gand sa aduca memorie RAM mai rapida pentru urmatoarea sa serie de smartphone-uri flagship. Astfel, intreaga familie Galaxy S26 ar urma sa utilizeze memorie RAM de tip LPDDR5X cu viteza de 10,7 Gbps.

Folosirea de memorie de tip LPDDR5X nu ar fi o noutate pentru dispozitivele din gamele Galaxy S de la Samsung, fiind folosite de aceste device-uri inca de la seria S22, insa nu la aceste viteze de transfer. Spre exemplu, la flagship-urile Galaxy S25, memoria RAM atingea viteze de 9,6 Gbps.

- PhoneArt (@UniverseIce) November 12, 2025

De asemenea, familia Galaxy S26 ar trebui sa vina cu 12 GB de memorie RAM pentru toate modelele sale - S26, S26 Plus, S26 Ultra -, insa aceasta memorie va fi cu 10% mai rapida decat la seria anterioara. In 2022, la introducerea memoriei de tip LPDDR5X pe dispozitivele Galaxy S, aceasta avea o viteza de "numai" 8,6 Gbps.

In aprilie 2024, Samsung a facut trecerea la memoria RAM de LPDDR5X cu viteza de 9,6 Gbps, construita intr-un proces de fabricatie pe 12 nm. Iar acum, pentru seria Galaxy S26, este de asteptat ca Samsung sa-si echipeze intreaga familie Galaxy S26 cu memorie RAM de fabricatie proprie, cu viteza de 10,7 Gbps.

Viitoarele smartphone-uri flagship de la Samsung, Galaxy S26, S26 Plus si S26 Ultra, ar urma sa fie lansate in cadrul unui event special Galaxy Unpacked, programat pentru 25 februarie 2026.

Sursa: GSM Arena, Ice Universe pe X / Twitter

Articolul Zvon: memorie RAM mai rapida pentru intreaga serie Samsung Galaxy S26 apare prima data in Go4IT.