Accesorii

Producatorul chinez de memorii CXMT se pregateste sa lanseze pana la sfarsitul acestui an primul sau produs DRAM bazat pe arhitectura 4F2. Este vorba despre un modul DDR5 RDIMM destinat serverelor, care ar urma sa foloseasca tranzistori verticali pentru a reduce suprafata ocupata de fiecare celula de memorie.

Anuntul a fost facut de Cao Kanyu, presedintele companiei, la Conferinta Integrated Chips and Chiplets, potrivit publicatiei chineze Yicai. Deocamdata, CXMT nu a dezvaluit frecventele, capacitatea sau densitatea noilor module. Nici detaliile privind productia si clientii vizati nu sunt cunoscute.

Arhitectura 4F2 urmareste sa reduca spatiul necesar unei celule DRAM in comparatie cu designul traditional 6F2. La aceeasi dimensiune a caracteristicilor tehnologice, suprafata teoretica a celulei ajunge la aproximativ doua treimi din cea a variantei clasice, ceea ce inseamna o reducere de circa o treime.

Pentru a obtine acest rezultat, CXMT foloseste tehnologia Vertical Surrounded Gate (VSG). Tranzistorul este orientat vertical, iar poarta de comanda il inconjoara. Configuratia permite un control mai bun al canalului si limiteaza scurgerile de curent, in timp ce ocupa mai putin spatiu pe suprafata cipului.

Compania lucreaza de mai multi ani la aceasta solutie si a publicat cercetari in 2021, 2023 si 2025. Un exemplu experimental de memorie cu o capacitate de 8 Gb si o matrice completa a fost prezentat la conferinta IEDM din 2023. Cao a mai precizat ca CXMT are peste 300 de familii de brevete publicate asociate tehnologiei 4F2.

Un alt element important este integrarea prin lipire hibrida la nivel de placheta. Aceasta metoda permite optimizarea separata a matricei de memorie si a circuitelor logice, care pot fi apoi conectate intr-o structura tridimensionala. CXMT sustine ca lucreaza la astfel de solutii din 2019.

CXMT nu este singurul producator care incearca sa treaca la celule DRAM mai compacte. Samsung a prezentat in februarie 2026, in cadrul conferintei ISSCC, un design 4F2 de 16 Gb, realizat cu tranzistori verticali. Matricea de memorie este conectata deasupra circuitelor periferice prin lipire hibrida cu cupru, de la placheta la placheta.

Potrivit Samsung, aceasta abordare poate creste cu peste 20% numarul de cipuri obtinute dintr-o placheta, fara modificarea regulilor de proiectare. Totusi, calendarul comercializarii ramane neclar. Primele informatii indicau productia de masa in 2028, insa relatari ulterioare din presa sud-coreeana au pus sub semnul intrebarii acest termen.

SK hynix a prezentat, la randul sau, planuri pentru o platforma 4F2 cu tranzistori verticali si pentru memorii DRAM tridimensionale, cu circuitele pozitionate sub matricea de celule. In cazul Micron, informatiile publice despre un calendar similar sunt mult mai limitate.

Anuntul vine intr-o perioada in care producatorul chinez castiga teren pe piata globala. Platforma sa tehnologica G5 DRAM, prezentata pe 20 septembrie, a ajuns in productie de masa.

Potrivit estimarilor TrendForce, CXMT a obtinut 9,5% din veniturile globale generate de memoria DRAM in al doilea trimestru, fata de 7,6% in primele trei luni ale anului. Rezultatul a plasat compania pe locul al patrulea la nivel mondial.

In noiembrie anul trecut, CXMT a prezentat memorii DDR5-8000 si LPDDR5X-10667, semn ca ambitiile sale depasesc segmentele de baza ale pietei.

Cu toate acestea, anuntul despre noul modul 4F2 trebuie privit cu prudenta. CXMT nu a publicat inca specificatii complete si nici rezultate independente de testare. Nu exista informatii confirmate despre capacitate, viteze, nodul de fabricatie sau volumele planificate.

Deocamdata, compania a anuntat o tinta de lansare si a descris tehnologia pe care intentioneaza sa o foloseasca. Daca produsul va ajunge pe piata pana la sfarsitul anului, va fi un pas important pentru CXMT, dar performanta si avantajele sale reale vor putea fi evaluate abia dupa aparitia unor specificatii complete si a testelor independente.

Informatiile din Coreea de Sud indica faptul ca primele produse ale CXMT ar putea utiliza doar partial arhitectura 4F2 si ca fabricarea unor unitati stabile la scara larga reprezinta o provocare aparte. Avand in vedere ca mai sunt aproximativ 11 saptamani pana la sfarsitul anului, va fi interesant de urmarit ce va livra CXMT.

Articolul China intra in cursa pentru memoria DRAM de noua generatie. CXMT promite celule cu o treime mai mici apare prima data in Go4IT.