×

Accesează
contul existent

Accesorii

PSMC intra in cursa pentru memoria AI alaturi de Intel si SoftBank

PSMC intra in cursa pentru memoria AI alaturi de Intel si SoftBank

25.02.2026, 08:09 By thumbs

Aplicatia Orange Sport este gratuita si poate fi descarcata din Google Play si App Store

Expansiunea accelerata a aplicatiilor de inteligenta artificiala genereaza o crestere exploziva a cererii pentru cipuri de memorie. In acest context, compania taiwaneza PSMC atrage atentia printr-un parteneriat strategic cu Intel si grupul japonez SoftBank Group.

Colaborarea vizeaza dezvoltarea si productia unei noi generatii de memorie pentru inteligenta artificiala, oferind Taiwanului sansa de a obtine un rol semnificativ intr-un segment dominat pana acum de giganti precum Samsung Electronics, SK hynix si Micron Technology.

PSMC (Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation) este un important producator taiwanez de semiconductori (foundry), fondat in 1994 si specializat in memorii si circuite logice.
O alternativa la HBM: tehnologia Z-Angle Memory

Initiativa comuna dintre Taiwan, SUA si Japonia are ca obiectiv dezvoltarea unei noi tehnologii denumite Z-Angle Memory (ZAM), destinata aplicatiilor AI si HPC (high-performance computing).

Aceasta isi propune sa depaseasca limitarile actualelor solutii HBM (High Bandwidth Memory) in materie de capacitate, eficienta energetica si viteza de transfer al datelor.

In cadrul parteneriatului, responsabilitatile sunt clar delimitate. O noua entitate creata de SoftBank, Saimemory, coordoneaza designul si administrarea proprietatii intelectuale. Intel contribuie cu expertiza sa in arhitectura memoriei si tehnologiile de stacking, in timp ce PSMC si compania japoneza Shinko Electric Industries vor sustine productia pilot si procesul de fabricatie.

Prototipul este programat sa fie finalizat pana in 2027, iar productia comerciala de masa este estimata pentru 2029.

Tehnologii avansate pentru performanta si eficienta

Noul produs ar urma sa integreze initiativa Intel Next Generation DRAM Bonding (NGDB), bazata pe tehnici avansate de interconectare si ambalare multistrat.

Reprezentantii Intel au subliniat ca arhitecturile traditionale de memorie nu mai pot tine pasul cu cerintele tot mai mari ale aplicatiilor AI. Prin utilizarea tehnologiilor de stacking pe mai multe straturi si a unor metode inovatoare de interconectare, noua memorie ar putea creste performanta, reducand simultan consumul de energie si costurile de productie.

ZAM a fost prezentata public pentru prima data in cadrul evenimentului Intel Connection Japan 2026, organizat pe 3 februarie.

Primele informatii din industrie indica avantaje semnificative. Noua tehnologie ar putea reduce consumul de energie cu 40-50%, ar simplifica procesul de productie prin utilizarea interconectarilor in unghi (Z-Angle) si ar putea permite integrarea unei capacitati de pana la 512 GB pe cip.

Ramane de vazut in ce masura Z-Angle Memory va putea concura direct cu HBM, insa initiativa reprezinta o miscare strategica importanta.

O noua cale in domeniul memoriei pentru AI?

Efortul comun al Taiwanului, Statelor Unite si Japoniei ar putea deschide un nou drum tehnologic in domeniul memoriei pentru AI, reducand dependenta de actualele lanturi de aprovizionare si consolidand pozitia PSMC ca actor relevant in productia de memorie avansata.

Intr-o industrie dominata de inovatie rapida si competitie intensa, proiectul ZAM marcheaza o tentativa ambitioasa de a redefini standardele memoriei pentru era inteligentei artificiale.

Articolul PSMC intra in cursa pentru memoria AI alaturi de Intel si SoftBank apare prima data in Go4IT.

Legal disclaimer:

Acesta este un articol informativ. Produsele descrise pot sa nu faca parte din oferta comerciala curenta Orange. Continutul acestui articol nu reprezinta pozitia Orange cu privire la produsul descris, ci a autorilor, conform sursei indicate.

Articole asemanatoare