Accesorii

Samsung a anuntat startul productiei de masa pentru HBM4 si livrarea primelor unitati comerciale, devenind astfel primul producator care aduce pe piata noua generatie de memorie High Bandwidth Memory, a anuntat compania.

Miscarea vine la scurt timp dupa ce Micron a respins zvonurile privind o eventuala intarziere a propriului program HBM4, semn ca competitia in acest segment devine tot mai intensa.

Potrivit comunicatului oficial, Samsung utilizeaza DRAM de generatia a sasea, din clasa 10 nm (1c), alaturi de un proces logic pe 4 nm. Compania sustine ca a obtinut randamente ridicate inca de la inceput, fara a fi necesare reproiectari.

Noua memorie HBM4 ofera o viteza sustinuta de 11,7 Gbps, cu aproximativ 46% peste standardul industriei de 8 Gbps. Comparativ cu HBM3E, care atingea un maxim de 9,6 Gbps, cresterea este de circa 22%. In scenarii optimizate, viteza poate urca pana la 13 Gbps.

In ceea ce priveste latimea de banda, fiecare stack ajunge la un maxim de 3,3 TB/s, o crestere de 2,7 ori fata de HBM3E. Pentru aplicatiile de inteligenta artificiala si high-performance computing, acest salt este esential.

In prima faza, Samsung livreaza configuratii HBM4 cu 12 straturi, in capacitati intre 24 GB si 36 GB. Ulterior, variantele cu 16 straturi vor extinde oferta pana la 48 GB per stack.

Compania afirma ca noua generatie aduce si o eficienta energetica imbunatatita cu 40%, datorita tehnologiei TSV cu tensiune redusa si optimizarii retelelor de distributie a energiei. Rezistenta termica creste cu 10%, iar disiparea caldurii este imbunatatita cu 30% comparativ cu HBM3E.

Aceste imbunatatiri sunt critice pentru centrele de date si acceleratoarele AI, unde densitatea de putere si gestionarea temperaturii reprezinta provocari majore.

Potrivit relatarilor ZDNet, Samsung estimeaza ca vanzarile de HBM vor fi de peste trei ori mai mari in 2026 comparativ cu 2025, pe fondul cererii crescute din zona AI. Compania isi extinde deja capacitatile de productie pentru a raspunde cererii.

Dupa lansarea comerciala a HBM4, mostrele pentru HBM4 E sunt programate pentru a doua jumatate a anului 2026. In 2027, Samsung intentioneaza sa livreze si versiuni custom de HBM, adaptate specificatiilor clientilor.

Rivalul direct, SK hynix, a prezentat la CES 2026 primul pachet HBM4 16-Hi din industrie. Potrivit Tom's Hardware, compania a evidentiat densitatile obtinute prin tehnologia MR-MUF si interfata de 2.048 de biti specifica HBM4.

Stivele prezentate ar functiona la 10 GT/s, cu aproximativ 25% peste standardul JEDEC.

Lansarea comerciala HBM4 marcheaza inceputul unei noi etape in competitia pentru suprematie in infrastructura AI. Cresterile de performanta si eficienta energetica sunt menite sa sustina generatiile viitoare de acceleratoare si GPU-uri dedicate centrelor de date.

Pentru Samsung, startul productiei de masa reprezinta un avantaj strategic important. Ramane de vazut cum vor reactiona competitorii si cat de rapid va absorbi piata aceasta noua generatie de memorie, intr-un context in care cererea pentru AI continua sa creasca accelerat.

Articolul Samsung a lansat comercial primele memorii HBM4: viteze mai mari si latime de banda record apare prima data in Go4IT.