Accesorii

Compania chineza Naura Technology Group sustine ca a dezvoltat un proces de gravare in doua etape pentru productia de memorii 3D DRAM. Metoda ar permite prelucrarea uniforma a unor structuri formate din 64 de perechi de straturi.

Daca rezultatele pot fi transferate intr-un proces de productie la scara larga, tehnologia ar putea ajuta producatorii chinezi de memorii sa creasca densitatea fara sa depinda in aceeasi masura de litografia EUV. Naura isi prezinta rezultatele intr-o lucrare publicata in cadrul IEEE.

Memoriile DRAM traditionale se bazeaza in principal pe reducerea dimensiunilor elementelor in plan orizontal. Aceasta abordare devine tot mai dificila pe masura ce producatorii incearca sa creasca densitatea celulelor.

3D DRAM propune o abordare diferita. Celulele de memorie sunt dispuse pe mai multe niveluri, ceea ce permite cresterea densitatii prin stivuire verticala.

Cercetarea in domeniu urmareste de mai mult timp aceasta directie. Un studiu prezentat in cadrul IEEE in 2024 descrie 3D DRAM ca o posibila solutie pentru limitarile de scalare ale memoriei conventionale.

Pentru China, aceasta directie are o importanta suplimentara. Accesul producatorilor locali la cele mai avansate echipamente EUV este limitat de restrictiile comerciale occidentale.

Procesul prezentat de Naura este destinat unei structuri alcatuite din straturi alternative de siliciu (Si) si siliciu-germaniu (SiGe).

In timpul fabricarii, straturile de SiGe trebuie indepartate selectiv. Spatiile rezultate sunt folosite ulterior pentru realizarea unor componente ale celulelor de memorie.

Operatiunea este dificila in structuri cu un numar mare de niveluri. Substantele utilizate pentru gravare pot afecta si straturile de siliciu care trebuie pastrate.

O alta problema este acumularea produselor secundare in partea inferioara a structurii. Acestea pot impiedica substantele de gravare sa ajunga in mod uniform la straturile aflate mai jos.

Naura spune ca a abordat aceste probleme printr-un proces de gravare ciclic in doua etape.

In prima etapa sunt utilizati radicali de fluor neutri din punct de vedere electric. Acestia actioneaza selectiv asupra straturilor de SiGe si formeaza, potrivit companiei, o pelicula protectoare pe suprafata siliciului.

A doua etapa are rolul de a elimina produsele secundare rezultate in urma reactiei. Naura utilizeaza un proces de curatare asistat de plasma pentru a reduce efectul de microincarcare si pentru a facilita accesul substantelor catre straturile inferioare.

Unul dintre cele mai importante rezultate prezentate de companie este raportul de selectivitate dintre SiGe si Si.

Naura sustine ca procesul depaseste un raport de 500:1. Asta inseamna ca SiGe este indepartat de peste 500 de ori mai rapid decat siliciul in conditiile testate.

Compania afirma si ca pierderea de siliciu ramane sub 10 angstromi, adica aproximativ un nanometru. Rezultatul este relevant pentru pastrarea dimensiunilor structurii in timpul gravarii.

Naura mai sustine ca a obtinut o uniformitate structurala de peste 95% pe 64 de perechi de straturi. In exemplul prezentat, o structura de 200 de nanometri in partea superioara ar pastra cel putin 190 de nanometri in partea inferioara.

Tehnologia ar putea fi relevanta pentru producatorii chinezi de memorii, inclusiv pentru ChangXin Memory Technologies (CXMT).

In cazul in care procesul poate fi integrat intr-o linie de productie, gravarea verticala ar putea oferi o alternativa pentru cresterea densitatii memoriei. Aceasta ar reduce importanta scalarii strict orizontale, domeniu in care accesul la echipamentele de ultima generatie reprezinta o problema pentru China.

Totusi, rezultatele prezentate de Naura nu inseamna ca productia comerciala de 3D DRAM este deja posibila. Trecerea de la o demonstratie de proces la productia in volum presupune validari suplimentare, integrarea mai multor etape de fabricatie si obtinerea unor randamente stabile.

Prin urmare, progresul anuntat de Naura este mai degraba un pas in dezvoltarea tehnologiei decat o dovada ca producatorii chinezi au depasit deja toate limitarile impuse de lipsa echipamentelor EUV.

Articolul China gaseste o posibila cale in jurul restrictiilor EUV. Naura anunta un progres important pentru memoria 3D DRAM apare prima data in Go4IT.