Accesorii

Samsung isi pregateste urmatoarea etapa de miniaturizare a procesoarelor. Compania ar putea introduce tehnologia High-NA EUV pentru procesul de fabricatie de 1 nm, programat pentru productia de masa in jurul anului 2030.

Decizia ar marca o etapa importanta pentru divizia de foundry a Samsung. Compania a instalat deja doua sisteme High-NA EUV la centrul sau din Hwaseong.

High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet) este o noua generatie de tehnologie de litografie pentru fabricarea microcipurilor. Aceasta foloseste lumina ultravioleta extrema cu o deschidere numerica de 0,55 (fata de 0,33 la generatia anterioara). Astfel, permite trasarea unor linii mult mai fine si crearea de cipuri avansate pentru inteligenta artificiala.

Samsung a analizat utilizarea noii generatii EUV pentru procesele de 2 nm si 1,4 nm. Totusi, compania considera ca tehnologia mai are nevoie de imbunatatiri inainte de o implementare extinsa.

ChangMin Park, expert senior in tehnologie la Samsung Electronics, a explicat situatia. Potrivit acestuia, High-NA EUV ar putea deveni necesara incepand cu procesul A10 si versiunile ulterioare.

Samsung a inceput deja productia comerciala pe procesul de 2 nm. Compania pregateste apoi procesul SF1.4, cu productie de masa programata pentru 2029.

SF1.4+ si procesul de 1 nm ar urma sa intre in productie in 2030.

High-NA EUV creste apertura numerica de la 0,33 la 0,55. Aceasta schimbare permite obtinerea unei rezolutii mai bune in procesul de litografiere.

Tehnologia ar putea elimina nevoia unor etape multiple de patterning EUV pentru anumite structuri. In schimb, producatorii ar putea utiliza o singura etapa de patterning.

Avantajele pot include costuri mai mici si o flexibilitate mai mare pentru proiectarea circuitelor. Totusi, implementarea acestei noi generatii ramane dificila si costisitoare.

Exista inca probleme legate de masti si pelicule de protectie. Din acest motiv, EUV conventional cu multi-patterning si High-NA EUV ar putea coexista.

Samsung a instalat primul sistem High-NA EUV la centrul din Hwaseong in 2025. Un al doilea echipament a fost adaugat in prima jumatate a anului 2026.

Investitiile totale sunt estimate la peste 1.000 de miliarde de woni. Implementarea comerciala la scara larga nu a fost insa confirmata.

Un raport anterior al publicatiei Chosun Ilbo sugera ca Samsung amana aceasta etapa. Costurile ridicate reprezinta una dintre principalele probleme.

Samsung incearca in acelasi timp sa-si redreseze afacerea de productie de cipuri pentru clienti externi.

Compania isi extinde si utilizarea tehnologiei Atomic Layer Etching (ALE). Metoda permite un control mai precis asupra structurilor extrem de mici.

Samsung nu este singurul producator care investeste in aceasta tehnologie. Intel a facut deja un pas important in aceasta directie.

Compania utilizeaza High-NA EUV pentru anumite straturi ale procesoarelor Panther Lake. Cipurile sunt fabricate pe procesul Intel 18A.

ASML a indicat ca aceasta reprezinta prima utilizare a High-NA EUV pentru dispozitive logice produse in serie.

TSMC a cumparat deja echipamente High-NA EUV si desfasoara activitati de cercetare. Compania nu considera insa ca tehnologia este necesara pentru toate procesele viitoare.

Procesele A13 si A12 sunt programate pentru 2029. Acestea nu ar urma sa necesite nou generatie EUV, potrivit declaratiilor anterioare ale conducerii TSMC.

Strategia arata ca marii producatori analizeaza diferit momentul potrivit pentru adoptarea noii tehnologii.

Si SK hynix exploreaza utilizarea High-NA EUV pentru urmatoarele generatii de memorii DRAM.

Compania a introdus un astfel de sistem destinat productiei de masa in a doua jumatate a anului 2025. Cercetarea si dezvoltarea cu acest echipament au inceput in 2026.

SK hynix compara doua abordari. Prima utilizeaza EUV conventional cu mai multe etape de patterning. A doua se bazeaza pe High-NA EUV cu o singura etapa.

Compania analizeaza si utilizarea mastilor de tip Phase Shift Mask (PSM). Acestea pot imbunatati contrastul si rezolutia in procesul de litografiere.

Pentru Samsung, High-NA EUV ar putea deveni astfel o componenta importanta a strategiei de productie pentru 1 nm. Totusi, costurile si maturitatea tehnologiei vor determina momentul adoptarii la scara larga.

Articolul Samsung ar putea adopta High-NA EUV pentru procesul de 1 nm in jurul anului 2030 apare prima data in Go4IT.