Câștigă cu newsletterul Orange
 |
Accesează
contul existent
26.05.2026, 11:24
By
Aplicatia Orange Sport este gratuita si poate fi descarcata din Google Play si App Store
Samsung a dezvoltat primul prototip de memorie V-NAND cu 900 de straturi din lume, intr-un moment in care competitia din industria memoriilor flash devine tot mai intensa. Prin aceasta realizare, compania sud-coreeana incearca sa isi consolideze pozitia in fata rivalilor SK Hynix si YMTC din China.
Potrivit unei informatii publicate de presa locala de specialitate, noul cip reprezinta un pas important in cursa pentru cresterea densitatii de stocare si reducerea consumului energetic in centrele de date si aplicatiile de inteligenta artificiala.
Noua tehnologie foloseste doua structuri de cate 450 de straturiConform raportului, Samsung utilizeaza o tehnologie denumita Cell Multi-Bonding (CMB). Aceasta permite combinarea a doua wafer-uri cu cate 450 de straturi intr-un singur cip.
Prin suprapunerea unui numar tot mai mare de straturi NAND, producatorii pot obtine capacitati mai mari de stocare intr-un spatiu redus si pot diminua consumul de energie. Aceste avantaje sunt considerate esentiale pentru infrastructura AI moderna, unde volumele de date cresc accelerat.
Samsung incearca sa isi pastreze avantajul tehnologicIn prezent, SK Hynix este considerat unul dintre liderii segmentului NAND cu densitate ridicata, compania avand deja cipuri NAND cu 321 de straturi. Samsung pregateste insa productia de masa pentru generatia a zecea de memorii NAND cu peste 400 de straturi si, in paralel, lucreaza la tehnologia de 900 de straturi aflata inca in faza de cercetare.
Samsung a fost prima companie care a comercializat memorii 3D V-NAND in anul 2013, insa cresterea numarului de straturi a adus si dificultati tehnice importante.
Problemele de fabricatie au necesitat solutii noiPe masura ce structurile NAND au devenit tot mai inalte, compania s-a confruntat cu probleme precum deformarea wafer-urilor si erori de aliniere intre straturi.
Potrivit informatiilor aparute, Samsung ar fi rezolvat aceste dificultati prin utilizarea unui design avansat Upper Chuck si a unei tehnologii Overlay Correction pentru corectarea alinierii.
Compania ar fi optimizat si structurile Bitline si Wordline, ceea ce a permis reducerea dimensiunii cipului si a consumului energetic.
Competitorii chinezi reduc rapid diferentaPresiunea competitiva vine in special din partea companiei chineze Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC). Producatorul a inceput deja fabricarea in masa a memoriilor NAND cu 294 de straturi, sustinut de investitii consistente ale statului chinez si de extinderea productiei locale de echipamente pentru semiconductori.
In acest context, Samsung pare sa accelereze dezvoltarea tehnologiilor NAND de generatie viitoare pentru a-si mentine avantajul pe termen lung intr-o industrie in care cererea pentru solutii de stocare dedicate inteligentei artificiale continua sa creasca rapid.
Articolul Samsung a fabricat primul cip de stocare V-NAND cu 900 de straturi apare prima data in Go4IT.
Legal disclaimer:
Acesta este un articol informativ. Produsele descrise pot sa nu faca parte din oferta comerciala curenta Orange. Continutul acestui articol nu reprezinta pozitia Orange cu privire la produsul descris, ci a autorilor, conform sursei indicate.
Descarcă aplicația My Orange: 
@Orange Romania S.A. 2026
Cod unic de înregistrare: 9010105
Numar inregistrare Registrul Comertului: J1996010178400
Sediul social: Clădirea Tandem, Strada Matei Millo, nr.5, Sector 1, Bucuresti
Certificatul Tip de furnizor
