Câștigă cu newsletterul Orange
 |
Accesează contul My Orange
06.08.2026, 01:15
By
Aplicatia Orange Sport este gratuita si poate fi descarcata din Google Play si App Store
Samsung a prezentat noul cip de stocare V10 BV-NAND in cadrul expozitiei Future of Memory and Storage (FMS) 2026. Noul produs utilizeaza arhitectura NAND verticala de generatia a zecea si introduce o tehnologie care permite depasirea pragului de 400 de straturi.
V10 BV-NAND - Prima arhitectura bazata pe tehnologia wafer bondingAces nou cip NAND foloseste o noua tehnologie de lipire a plachetelor, cunoscuta sub numele de wafer bonding. Potrivit Samsung, compania este primul producator care implementeaza aceasta arhitectura intr-un cip NAND.
Noua tehnologie permite integrarea a peste 400 de straturi de memorie, ceea ce duce la o densitate cu aproximativ 58% mai mare comparativ cu cipurile V9 NAND din generatia anterioara.
V10 BV-NAND - Performante mai bune pentru aplicatiile AISamsung afirma ca noul sau cip de memorie NAND ofera imbunatatiri ale vitezelor de citire si scriere, precum si ale performantei operatiilor de intrare-iesire (I/O).
In acelasi timp, noul cip promite un consum redus de energie, aspect important pentru centrele de date si sistemele dedicate inteligentei artificiale.
Compania spune ca V10 BV-NAND este proiectat pentru sarcini complexe, cu volume mari de date, specifice serverelor AI si platformelor de calcul de inalta performanta.
Lansarea comerciala nu are inca o dataSamsung nu a anuntat cand va incepe productia comerciala a cipurilor V10 BV-NAND.
Totusi, compania lasa sa se inteleaga ca noua generatie ar putea ajunge pe piata inainte de lansarea memoriei V11 NAND, programata pentru 2027.
Prin prezentarea acestui nou cip NAND si a conceptului zHBM, Samsung isi continua strategia de dezvoltare a solutiilor de memorie si stocare dedicate infrastructurii AI si centrelor moderne de date.
Tot la Future of Memory and Storage (FMS) 2026, compania sud-coreeana a prezentat zHBM. Acesta este conceptul unei noi generatii de memorie pentru acceleratoarele AI si centrele de date. Samsung sustine ca tehnologia zHBM poate oferi viteze de transfer de pana la opt ori mai mari decat HBM5 si o densitate de memorie de peste zece ori mai ridicata.
Articolul Samsung a prezentat V10 BV-NAND, primul cip de stocare cu peste 400 de straturi destinat centrelor de date AI apare prima data in Go4IT.
Legal disclaimer:
Acesta este un articol informativ. Produsele descrise pot sa nu faca parte din oferta comerciala curenta Orange. Continutul acestui articol nu reprezinta pozitia Orange cu privire la produsul descris, ci a autorilor, conform sursei indicate.
Descarcă aplicația My Orange: 
@Orange Romania S.A. 2026
Cod unic de înregistrare: 9010105
Numar inregistrare Registrul Comertului: J1996010178400
Sediul social: Clădirea Tandem, Strada Matei Millo, nr.5, Sector 1, Bucuresti
Certificatul Tip de furnizor
