Accesorii

Samsung si SK Hynix continua sa-si extinda investitiile in China datorita conditiilor din piata, iar modernizarile continue ale procesului NAND la fabricile lor locale cheie atrag o atentie tot mai mare.

Samsung a finalizat prima faza a tranzitiei de proces la fabrica sa din Xi'an, dupa ce a eliminat treptat NAND-ul cu 128 de straturi (V6) vechi, scrie presa locala, citata de Trendforce. In acelasi timp, compania a extins deja productia in masa de produse cu 236 de straturi (V8).

Mai mult, Samsung pregateste modernizari suplimentare, fabrica sa din Xi'an Phase2 (X2) urmand, de asemenea, sa treaca la NAND cu 286 de straturi (V9). Se asteapta ca trecerea sa fie finalizata pana in 2026, deschizand calea pentru productia in masa la scara larga a celor mai recente noduri V9, noteaza presa locala.

Conform TrendForce, China a reprezentat aproximativ 30-35% din productia totala de NAND a Samsung in 2025. Astfel, odata cu aceasta modernizare a procesului, se asteapta ca fabrica din Xi'an sa isi extinda semnificativ productia de produse NAND avansate V8 si V9.

Raportul evidentiaza scaderea cererii de produse din generatia mai veche ca factor cheie, in timp ce avansul rapid al rivalilor chinezi cu oferte de ultima generatie accelereaza si mai mult tranzitia. Principalul producator de NAND din China a trecut deja la productia in masa de 294 de straturi, ceea ce face din ce in ce mai dificila mentinerea unui avantaj competitiv cu solutii de 100 de straturi.

Samsung produce in prezent in masa V9 la fabrica sa din Pyeongtaek, in timp ce se pregateste si pentru productia de V10 (peste 400 de straturi).

Intre timp, restrictiile mai stricte asupra importurilor de echipamente NAND avansate in China, pe fondul escaladarii tensiunilor dintre SUA si China, ar fi putut impinge si mai mult Samsung Electronics sa accelereze tranzitia sa in materie de procese.

Desi Samsung isi pastreaza statutul de "Validated End User (VEU)" ca o exceptie, informatiile din presa arata ca, de la sfarsitul anului 2025, a fost obligata sa obtina aprobarea anuala din partea guvernului SUA.

Pe de alta parte, extinderea fabricii NAND din Dalian a SK Hynix prinde contur. Discutiile pentru reluarea investitiilor s-au intensificat pe masura ce preturile la memoria NAND s-au redresat odata cu ciclul de crestere a memoriei DRAM.

Conform presei locale, capacitatea totala a memoriei NAND a SK Hynix a fost redusa dupa ce fabrica sa Cheongju M15 a fost convertita la memoria DRAM in timpul recesiunii; se asteapta ca alte facilitati, cum ar fi M15X si fabrica Yongin Phase1, sa fie dedicate productiei de DRAM, lasand un spatiu limitat pentru alocari suplimentare de memorie NAND.

In acest context, fabrica Dalian Phase2 este practic singurul amplasament disponibil pentru extinderea capacitatii NAND, iar SK Hynix intentioneaza acum sa inceapa instalarea echipamentelor la fabrica sa Dalian Phase2 in a doua jumatate a anului 2026.

Intre timp, necesitatea conversiei fabricii Dalian Phase1 a fost, de asemenea, ridicata in mod constant. Fabrica Dalian inca functioneaza pe tehnologie NAND cu 192 de straturi - fiind in mod clar in urma celei mai recente cresteri de 321 de straturi a SK Hynix cu mai mult de doua generatii complete. Astfel, se pare ca SK Hynix evalueaza productia de NAND cu 200 de straturi medii la fabrica sa din Dalian.

In special, SK Hynix s-ar putea confrunta, de asemenea, cu presiuni de expansiune in China. Conditiile de reglementare impuse de Administratia de Stat pentru Reglementarea Pietei (SAMR) din China in la preluarea afacerii NAND a Intel continua sa influenteze deciziile strategice, necesitand o productie sustinuta de produse eSSD bazate pe PCIe si SATA si modeland eficient prioritatile de productie la nivel de active.

China a reprezentat aproximativ 40-45% din productia totala de memorie NAND a SK Hynix in 2025.

Articolul SK Hynix si Samsung isi modernizeaza productia de memorii NAND apare prima data in Go4IT.